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介電常數(shù)測試儀生產(chǎn)廠家

型 號GDAT-A

更新時(shí)間2024-11-21

廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家

報(bào)價(jià)

產(chǎn)品描述:介電常數(shù)測試儀生產(chǎn)廠家

產(chǎn)品概述

介電常數(shù)測試儀生產(chǎn)廠家特點(diǎn): 

◎ 本公司創(chuàng)新的自動Q值保持技術(shù),使測Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動/手動量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測試信號。獨(dú)立信號   源輸出口,所以本機(jī)又是一臺合成信號源。

◎ 測試裝置符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

 

 

 

介電常數(shù)測試儀生產(chǎn)廠家主要技術(shù)指標(biāo):

2.1 tanδ和ε性能:

2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測試。

2.1.2 tanδ和ε測量范圍:

tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50

2.1.3 tanδ和ε測量精度(1MHz):

tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%

工作頻率范圍:50kHz~50MHz    四位數(shù)顯,壓控振蕩器

Q值測量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率

可調(diào)電容范圍:40~500 pF  ΔC±3pF

電容測量誤差:±1%±1pF

Q表殘余電感值:約20nH

 

 

使用方法

  1. 被測樣品的準(zhǔn)備

被測樣品要求為園形,直徑25.4~27mm,這是減小因樣品邊緣泄漏和邊緣電場引起的誤差的有效辦法。樣品厚度可在1~5mm之間,如太薄或太厚則測試精度就會下降,樣品要盡可能平直。

下面推薦一種能提高測試精確性的方法:準(zhǔn)備二片厚0.05mm的園形錫膜,直徑和平板電容器極片*,錫膜兩面均勻地涂上一層薄薄的凡士林,它起粘著作用,又能排除接觸面之間殘余空氣,把

錫膜再粘在平板電容器兩個(gè)極片上,粘好后,極片呈鏡面狀為佳,然后放上被測樣品。

 

 

測試順序

先要詳細(xì)了解配用Q表的使用方法,操作時(shí),要避免人體感應(yīng)的影響。

  1. 把配用的Q表主調(diào)諧電容置于zui小電容量,微調(diào)電容置于-3pF。
  2. 把本測試裝置插到Q 表測試回路的“電容”兩個(gè)端子上。
  3. 配上和測試頻率相適應(yīng)的高Q值電感線圈
  4. 調(diào)節(jié)平板電容器測微桿,使二極片相接為止,讀取刻度值記為DO
  5. 再松開二極片,把被測樣品插入二極片之間,調(diào)節(jié)平板電容器,到二極片夾住樣品止(注意調(diào)節(jié)時(shí)要用測微桿,以免夾得過緊或過松),這時(shí)能讀取新的刻度值,記為D1,這時(shí)樣品厚度D2= D1-D0
  6. 把園筒電容器置于5mm處。
  7. 改變配合Q表頻率,使之諧振,讀得Q值。
  8. 先順時(shí)針方向,后逆時(shí)針方向,調(diào)節(jié)園筒電容器,讀取當(dāng)Q表指示Q值為原值的一半時(shí)測微桿上二個(gè)刻度值,取這二個(gè)值之差,記為M1
  9. 再調(diào)節(jié)園筒電容器,使Q表再次諧振。
  10. 取出平板電容器中的樣品,這時(shí)Q表又失諧,調(diào)節(jié)平

板電容器,使再諧振,讀取測微桿上的讀值D3,其變化值為

D4= D3-D0

  1. 和h款操作一樣,得到新的二個(gè)值之差,記為M2

3.  計(jì)算測試結(jié)果

被測樣品的介電常數(shù):

Σ=D2 / D4

被測樣品的損耗角正切值:

     tgδ=K(M1-M2 )/ 15.5

式中:K為園筒電容器線性變化率,一般為0.33 / mm,每個(gè)測試夾具在盒蓋內(nèi)標(biāo)有具體數(shù)值。

一般按以上公式計(jì)算的結(jié)果,其精度和重復(fù)性是能滿足的,但對介電常數(shù)大的被測樣品(即樣品從平板樣品放入和取出,平板電容器刻度值變化較大),邊緣效應(yīng)電容對測試會有較顯著的影響,這時(shí)可按下列公式計(jì)算:

Σ=(C2 + CF2-CF)/ C1

tgδ=K(M1-M2 )/ 3.46(C2 + CF2-CF)/ C1

 

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